サファイア

高硬度と高生産性を誇る高品質材料

サファイア(α-Al2O3)は、化学的安定性・熱伝導性に優れ、変形等の物理的破壊に強いという特長を持っています。また、可視光より長い紫外光、あるいは可視光より短い赤外光領域でも高い透明性を示す材料として知られています。
このような特質から広く用いられる素材ですが、当社では、EFG法を採用し、サファイアの結晶育成から研磨、加工まで一貫して生産しています。

サファイアの特長

  • 機械的強度 :
    高強度、高硬度、耐摩耗性大
  • 透明度 :
    紫外から赤外光の広領域で透明(200nmから4000nm)
  • 化学的安定性 :
    耐食性大、ほとんどの酸、アルカリに侵されない
  • 高温安定性 :
    1800℃の高温まで安定的に使用可能
  • 電気特性 :
    高絶縁性

用途

単結晶サファイア基板  ・半導体用基板  ・LED基板  
・プロジェクター  ・光デバイス用基板


耐食性容器
 

宝飾造形品


お客様のニーズに応える独自の育成法

EFG法

当社では大口径で任意の断面形状・面方位が得られる
EFG法(Edge-defined Film-fed Growth Method))を採用しています。

EFG法の特長

EFG法の特長:1.長尺の単結晶サファイアの作成が可能、2.結晶方位のコントロール可能、3.短期間で開発可能、4.組成均質性が高い結晶が選べる、5.ドーピング対応可能 EFG法の特長:1.長尺の単結晶サファイアの作成が可能、2.結晶方位のコントロール可能、3.短期間で開発可能、4.組成均質性が高い結晶が選べる、5.ドーピング対応可能

EFG法による結晶試作お受けいたします。

FZ 法では小さすぎる、CZ法では大きすぎる。
長い結晶育成が出来ない等お困りのことがございましたら、当社EFG法にて結晶試作育成が可能です。
EFG法は他の結晶育成と比べ、成長速度が速い特長もあり短納期での開発検討が可能です。
当社では単結晶サファイアの製造を行っているため、高融点素材の育成(~2000℃)が可能となっており、EFG法の特長でもある組成均質性が高い結晶が得られます。ドーピングにつきましても対応可能です。都度ご相談下さい。

対応形状

断面図 寸法 精度 結晶方向 面精度
断面図 0.3~300mm
t=0.01~100
±0.005 ±2deg Ra=0.0001μm
断面図 0.3~300mm ±0.005 長さ方向C軸 5μm
断面図 外径:Max.Φ100mm
内径:Min.Φ2.0mm
±0.005
±0.002
-
-
5μm
断面図 その他形状については
ご相談ください。
- 長さ方向C軸 5μm
お問い合わせ
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お問合せ窓口
TEL:03-3919-2200
(月 - 金 9:00 - 17:00)

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