単結晶サファイア基板

あらゆる面方位に対応可能 高精度のサファイア基板

Sapphire Wafers Sapphire Wafers 当社は、EFG法(Edge-defined Film-Fed Growth Method)で単結晶サファイアを板状に引き上げ、製造しています。サファイアを板状に引き上げることにより、切断(加工)する手間が省けるため、精度の高いサファイア基板が短時間でご用意できます。8インチ角までの大型基板に対応可能です。
EFG法では、任意の面方位に結晶を製造できますので、c面、r面、a面、m面等あらゆる面方位に対応可能です。
さらに、精密研磨加工で、オフ角度を精密(0.1度以下)にコントロールしています。オフ角度の精密さが、試料の成長育成に重要となり、LEDなどで、ムラのない光源を得ることができると好評を得ています。
表面粗さは、平均粗さRaで1ナノメートル以下にコントロールしており、TTV(total thickness variation)、そり等のご要望に対応しております。
また、マーキング、ダブルオリフラ、穴あけ等の特殊加工も可能です。


オリフラとは: 基板の表裏面がわかるように直線の箇所を設けています。
通常a軸は第一オリフラに垂直ですので軸方位もわかります。

TTV

BOW

清浄度

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